趕在6月結束之際，三星宣布已經開始開始生產3nm製程晶片，象徵在製程技術發展領先競爭對手。 三星的3nm製程技術基於環繞式閘極 (Gate-All-Around,GAA)電晶體架構設計，相比台積電目前採用的鰭式場效電晶體 (Fin Field Effect Transistor,FinFET)能讓晶片發揮更高運算效能，並且能藉由降低電壓提升能源效益。 相較先…
搶先台積電TSMC，三星SAMSUNG宣布已經開始生產3nm製程晶片但能否扭轉5nm製程技術劣勢，仍有待觀察
趕在6月結束之際，三星宣布已經開始開始生產3nm製程晶片，象徵在製程技術發展領先競爭對手。 三星的3nm製程技術基於環繞式閘極 (Gate-All-Around,GAA)電晶體架構設計，相比台積電目前採用的鰭式場效電晶體 (Fin Field Effect Transistor,FinFET)能讓晶片發揮更高運算效能，並且能藉由降低電壓提升能源效益。 相較先…
