IBM與SAMSUNG以設計實現1nm以下製程技術，讓電晶體數量密度再次提高之外大幅強化電力使用效率

2021 年 12 月 14 日2021 年 12 月 13 日 GE

在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國際電子元件會議中，IBM與三星共同發表名為垂直傳輸場效電晶體 (VTFET)的晶片設計技術，強調將電晶體以垂直方式堆疊，並且讓電流也改以垂直方式流通，藉此讓電晶體數量密度再次提高之外，更大幅強化電力使用效率，並且突破現行在1nm製程設計面臨瓶頸。相較傳統將電晶體以水平方式堆疊形式設計，垂直傳輸場效電晶體將能增加電晶體數量堆疊…