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IBM與SAMSUNG以設計實現1nm以下製程技術,讓電晶體數量密度再次提高之外大幅強化電力使用效率

首圖 在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國際電子元件會議中,IBM與三星共同發表名為垂直傳輸場效電晶體 (VTFET)的晶片設計技術,強調將電晶體以垂直方式堆疊,並且讓電流也改以垂直方式流通,藉此讓電晶體數量密度再次提高之外,更大幅強化電力使用效率,並且突破現行在1nm製程設計面臨瓶頸。 相較傳統將電晶體以水平方式堆疊形式設計,垂直傳輸場效電晶體將能增加電晶體數量堆疊…

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